我最早看的网课是这个。不过如评论所说,“这个视频里没有入射折射还有波导相关的章节,知识讲的很细,对速成不友好,对你写题帮助更是不大”。全篇讲证明,没有任何做题,并且是有读 PPT 的嫌疑的。不过物理也就是证明吸引人。
而且,我校的电磁场考得还挺多的,从斜透射到波导,从传输线到偶极子天线,B 站很少有视频能全部讲到。因此我还是自己对照作业 + 书了。
学了一阵子电磁波,发现为了应付考试没有必要去管推导。。那个视频里讲的东西几乎全部没用,笑死。
真空磁导率 μ0=4π×10−7N⋅A−2
c=μ0ε01
拉梅系数:
xyz | ρϕz | rθϕ |
---|
1,1,1 | 1,ρ,1 | 1,r,rsinθ |
叉乘:右手螺旋,三阶矢量算三阶行列式,注意中间的分量是负号。(+-+)
叉乘的模是两向量形成的平行四边形面积,矢量混合积是六面体体积
注意不同坐标系的物理量实际位置。
∂l∂φ∣M=∂x∂φcosα+∂y∂φcosβ+∂z∂φcosγ=∇φ⋅l0
∇ 算子运算法则与求导法则一致。∇ 算子在每个坐标的分量是该坐标拉梅系数倒数,根据这个可以简单背下在柱/球坐标系下的散度定义式。
立体角:Ω=∬Sr2dA=∬S∣r∣r2r⋅dS=∬Sr3r⋅dS,封闭曲面的立体角 =4π(求高斯定理使用)
标量场梯度:∇r=r0,∇r1=−r2r0,可以按求导记忆。
通量:ψ=∫sA⋅dS=∫sA⋅ndS,闭合曲面改为 ∮(符号实际上代表二重积分)
散度:单位体积的通量 divA=∇⋅A=limΔV→0ΔV∮sA⋅dS
散度定理:∫V∇⋅AdV=∮sA⋅dS
环量: ψ=∮cA⋅dl=∮cAcosθdl,ψ=0 对应无旋场。
旋度:矢量,环量面密度最大值 rotA=∇×A=nlimΔS→0ΔS∣∮cA⋅dl∣max
旋度定理(斯托克斯定理):∫s∇×A⋅dS=∮cA⋅dl
两个恒等式:标量场的梯度的旋度恒等于 0 矢量(∇×(∇φ)=0),矢量场的旋度的散度恒等于 0 标量(∇⋅(∇×A)=0)。(梯无旋,旋无散)
亥姆霍兹定理:场的分解。F=F1+F2=−∇φ+∇×A;F1 无旋,F2 无源(无散)
记住:散度转通量是面积分,旋度转环量是线积分。
- 线性介质:介质参数与场强大小无关
- 各向同性介质:介质参数与场强方向无关
- 均匀介质:介质参数与位置无关
- 色散介质:介质参数与场的频率有关
公式大表
场方程大表
大物基础
安培定律:dF=Idl×dB
毕奥-萨法尔定律:B=4πμ0∮c′R3I′dl′×R
电流密度(面积微元):J=limΔS→0ΔSΔIn=dSdIn,电流是电流密度的通量
高斯定理:∮SE⋅dS=ε0q
静电场场方程(微分形式):∇⋅E=ε0ρ,∇×E=0
电位表达式 φ(r)=4πε01∫Vρ(r′)∣r−r′∣1dV′
静磁场场方程:∇⋅B=0∇×B=μ0J J 为体电流密度。
一般用的多的是 ∮cBdl=μ0I
引入一个 A 称为磁矢位,则 B=Δ×A。
(体)磁矢位方程:A(r)=4πμ0∫V∣r−r′∣JdV′
泊松方程
极化强度 P = 趋于无穷小体积内的电偶极矩之和
极化电荷密度(体,面):⎩⎨⎧ρps(r)=P(r)⋅nρp(r)=−∇⋅P(r)
电位移矢量 D=ε0E+P=εE
在线性介质中,P=ε0χeE,χe 称为极化率。εr=1+χe,ε=ε0εr 称为介质介电常数。
介质内电场方程:∇⋅D=ρ,即 ∇⋅E=ερ
磁化强度 M 趋于无穷小体积内的磁偶极矩之和
磁化电流密度(体,面):⎩⎨⎧Jms=M×nJm=∇×M
磁场强度 H=μ0B−M
介质内磁场方程:∇⋅H=J
类似的,有 B=μH,其中 M=χmH,μr=1+χm,μ=μ0μr
线性介质内的方程:∇×B=μJ
能量 W=∫VwdV
电场能量密度 we=21E⋅D=21ε∣E∣2
磁场能量密度 wm=21H⋅B=21μ∣H∣2
恒定电流电场功率密度 p=J⋅E
电场力 = F=∇We
一般情况:∇⋅J=−∂t∂ρ
恒定电流时 ∇⋅J=0,∇×E=0
边界条件;n⋅(J1−J2)=0n×(E1−E2)=0
功率密度:p=J⋅E=σ∣E∣2
J=σE
- 双垂直平面镜像:一个电荷镜像出三个,两个 -q,一个 +q
- 球镜像:−daq
主要研究方法:研究正弦时变电磁场,并将其他所有分量通过傅里叶变换为正弦形式。
无源:指 J=0,ρ=0
位移电流密度:Jd=∂t∂D
位移电流不需要导体;而传导电流只有在导体内才有。
麦克斯韦方程组:∇×E=−∂t∂B∇×H=J+∂t∂D∇⋅D=ρ∇⋅B=0
根据麦克斯韦方程组,可以推导出时变电磁场的边界条件:
n×(E1−E2)=0n×(H1−H2)=Jsn⋅(D1−D2)=ρsn⋅(B1−B2)=0
理想导体表面,有面电荷密度 ρs=en⋅D
时变电磁场的功率流密度(坡印廷矢量):S=E×H
坡印廷定理:单位时间内,一定体积中电磁场能量减少的速率,等于场力所做的功与单位时间向外的净通量的和。
转换为复振幅,消元 t,微分转乘法。
∂t∂↔jωE(x,y,z,t)=Re[E˙(x,y,z)ejωt]
麦克斯韦方程复数形式:将对 t 偏导以 jω 代替即可。
平均坡印廷矢量复数:Sc=21E×H∗
这种复数公式同样适用于 电/磁场能量密度等。
波的传播方向:e−jβz 代表 z 正向。
无源波动方程:{∇2E−με∂t2∂2E=0∇2H−με∂t2∂2H=0
达朗贝尔方程:{∇2A−με∂t2∂2A=−μJ∇2φ−με∂t2∂2φ=−ερ
亥姆霍兹方程:{∇2E+k2E=0∇2H+k2H=0
波数 k=ωμε
平均坡印廷矢量:Sav=21Re[E×H∗]
波阻抗:η=H0E0=εμ,真空中为 120π
复数解为 {E(z)=E0mejϕ0e−jkzexH(z)=H0mejϕ0e−jkzey=ηE0mejϕ0e−jkzey
实数解为 {E(z,t)=E0mcos(ωt−kz+ϕ0)exH(z,t)=H0mcos(ωt−kz+ϕ0)ey
任一时刻电杨能量密度和磁场能量密度相等,各为总电磁能量的一半
只需用复介电常数:εc=ε−jωσ 代入所有 ε 即可。
用 γ=jωμεc=α+jβ 替换 k,其中 α 称为衰减常数,β 称为相位常数
瞬时解:{E(z,t)=E0me−αzcos(ωt−βz+ϕ0)exH(z,t)=∣ηc∣E0me−αzcos(ωt−βz+ϕ0−θ)ey, θ 是 ηc 的相角
任一时刻电场能量密度和磁场能量密度一般不相等
相速度 vp=βω,若相速度与频率有关称为色散介质。
B=∇×AE=−∇φ−∂t∂A
位函数、洛仑兹规范位函数方程的实数复数表示小结
良导体 ωεσ>>1
弱导电媒质 ωεσ<<1
趋肤效应:良导体中电磁波衰减快,局限于导体表面附近的区域。趋肤深度 δ≈2πλ
- 线极化:ϕ=0,π
- 圆极化:ϕy−ϕx=±2π,振幅相等
- 右旋:Ex 超前 Ey,ϕy−ϕx<0
- 左旋:Ex 落后 Ey,ϕy−ϕx>0
理想导体没有透射
垂直射理想导体:{E1(z)=exEim(e−jβ1z−ejβ1z)=−exj2Eimsinβ1zH1(z)=eyη11Eim(e−jβ1z+ejβ1z)=eyη12Eimcosβ1z
反射系数 Γ=EimErm=η2+η1η2−η1
透射系数 τ=EimEtm=η2+η12η2
驻波系数(驻波比) S=1−∣Γ∣1+∣Γ∣
Γ < 0 时反射波和入射波电场相差相位 π,称为半波损失
三层介质等效阻抗:ηef=η2η2+jη3tan(β2d)η3+jη2tan(β2d)
全反射临界角 θc=arcsin(n2/n1)
均匀平面波是 TEM 波;TEM 波不能在空心导体波导内传播。
截止波数 kcmn=(amπ)2+(bnπ)2
截止频率 fcmn=2πμεkcmn
截止波长 λ cmn=k cmn2π
相位常数 βmn=k2−kcmn2
传播常数 γmn=jβmn
相速度 vpmn=βmnω
波导波长 λ gmn=βmn2π
波阻抗 ZTE=βωμ,ZTM=ωεβ
TE10 称为主模。主模开槽应在宽边中心,不切断管壁电流,不影响波导内电磁场。
输入阻抗 Zin(z)=Z0Z0+jZLtan(βz)ZL+jZ0tan(βz) (不记)
反射系数 Γ=∣Γ2∣e−j2βzejϕ2(无耗),其中 Γ2=ZL+Z0ZL−Z0
Zin(4λ)=ZLZ02
Zin(2λ)=ZL
λ=k2π